La firma ha dado a conocer sus intenciones de lanzar un módulo de memoria flash NAND embebida de 128 GB. Se trata, según Toshiba, del de mayor capacidad disponible para smartphones, tabletPC y cámaras de vídeo digital.
Este modulo ofrecerá una velocidad de lectura de hasta 46 MB por segundo y de hasta 21 MB por segundo en velocidad de escritura.
Habrá muestras de este nuevo módulo de memoria flash NAND disponibles para fabricantes en septiembre y su producción masiva comenzará en el cuarto trimestre del año. Nuevas muestras de los chips con 64 GB de capacidad estarán disponibles en agosto.
El módulo aglutina 16 chips NAND de 16 Gbit fabricados con tecnología de 32 nanómetros, en concreto, con proceso de litografía, lo que ha permitido a Toshiba poder integrarlo e incluir un controlador dedicado en un tamaño más pequeño. En concreto, 0,66 pulgadas de ancho por 0.86 pulgadas de largo y un grosor de sólo 0,05 pulgadas. Los chips NAND sólo tienen un grosor de 30 micrometros. Un micrometro es la millonésima parte de un metro.
Desde Toshiba afirman ser los primeros fabricantes en ser capaces de combinar con éxito 16 chips NAND de 16 Gbit utilizando tecnologías de reducción de capas. Así las cosas, su línea de módulos flash embebido ahora ofrece capacidades que van desde los 2 GB a los 128 GB.
“La demanda de chips de alta densidad que soportan video de alta resolución sigue creciendo. Particularmente en el área de las memorias embebidas con una función controladora que minimiza los requerimientos de desarrollo y facilita la integración en los sistemas”.
El nuevo controlador del modulo de memoria maneja funcionalidades esenciales tales como la gestión de la escritura de bloques o la corrección de errores. Desde Toshiba también han aclarado que simplifica el despliegue de sistemas, permitiendo a los fabricantes de dispositivos portátiles minimizar los costes de desarrollo y acelerar el tiempo necesario para poner los productos en circulación.
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